2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[7p-A203-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

2017年9月7日(木) 13:15 〜 18:45 A203 (203)

横田 知之(東大)、松井 弘之(山形大)、永松 秀一(九工大)

15:30 〜 15:45

[7p-A203-8] 半導体型カーボンナノチューブを用いた塗布型薄膜トランジスタ

清水 浩二1、河井 翔太1、脇田 潤史1、村瀬 清一郎1 (1.東レ)

キーワード:カーボンナノチューブ、半導体ポリマー、塗布型電極

近年、塗布型薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料として、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が注目されている。我々はこれまでに、高純度半導体型SWCNTと独自半導体ポリマーとの複合化により、塗布型では世界最高の移動度を達成している。本検討では、塗布型の当社感光性AgペーストRAYBRIDをソース/ドレイン電極に用いたTFTにおいて、半導体層のCNTネットワークを最適化することで、Au蒸着電極同等の移動度が得られた。