[7p-A203-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

[7p-A203-9] 有機薄膜トランジスタ特性におけるトンネル効果型アクセス抵抗の影響

〇浜井 貴将¹、荒井 俊人¹、峯廻 洋美²、井上 悟^2,3、長谷川 達生^1,2 (1.東大院工、2.産総研FLEC、3.日本化薬)

キーワード：有機半導体、薄膜トランジスタ、アクセス抵抗

長いアルキル鎖による修飾は有機半導体材料のプロセス性・半導体特性の向上に幅広く利用されている。これまでに我々はアルキル鎖がトンネル絶縁層を形成し、巨大なアクセス抵抗を生じることを明らかにした。今回の講演では、トンネル伝導の効果を取り入れたデバイスモデルによる数値計算の結果について報告する。非線形なアクセス抵抗に由来する、デバイス特性の層数に対する変化について実験結果と比較して議論する。