[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 & 13.3 & 13.5 Code-sharing session

△ [7p-A204-10] Ferroelectricity of thick Hf_xZr_1-xO₂ film using nano-crystal ZrO₂ seed layer

〇(M2)Takashi Onaya^1,2, Toshihide Nabatame^2,3, Naomi Sawamoto¹, Kazunori Kurishima^1,2, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA, 3.CREST, JST)

Keywords:Ferroelectric HfxZr1-xO2 film, ZrO2 seed layer, Atomic layer deposition (ALD)

強誘電体Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)膜は、膜厚の増加に伴って強誘電相である直方晶相の形成が抑制されて強誘電性が急激に低下することが報告されている。前回、我々は、原子層堆積法で作製した直方晶相のナノ結晶ZrO₂膜をシード層として用いることで、ZrO₂粒を基にHZOの直方晶相が成長し、その結果、強誘電性を向上できることを報告した。本研究では、ナノ結晶ZrO₂によるHZOの結晶成長と強誘電性の関係を調べた結果を報告する。