[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-11] Hf-Zr-O系薄膜の強誘電性と漏れ電流の相関

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、山田 浩之¹、渋谷 圭介¹、澤 彰仁¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大工)

キーワード：強誘電体、HfO2、漏れ電流

HfO₂系薄膜の強誘電性は母体となるHfO₂に種々のドーパントを添加することで出現する。High-kゲートスタック技術と同じ材料を用いることそして10 nm以下の極薄膜でも明瞭な強誘電性が現れることから、トランジスタやメモリといったデバイスへの応用が期待されている。その中でもHf-Zr-O系はHfとZrの幅広い組成範囲で強誘電特性が緩やかに変化する系であり、組成と電気特性との相関を系統的に調べやすい材料である。強誘電体を電子デバイスに応用する際の重要な指標の一つに漏れ電流がある。本研究ではHf-Zr-O系薄膜の全組成領域における電気特性を調べ、強誘電性と漏れ電流の間に相関があることを見つけた。