[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-1] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製

〇三輪 純也¹、上向井 正裕¹、藤 諒健¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、光導波路、方向性結合器

複数の方向性結合器（DC）で構成されるマッハツェンダー干渉計（MZI）は光通信や量子情報処 理の分野で高い 応用性を持つ。GaNなどの窒化物半導体は同種材料でレーザ光源を実現できるうえ、光学非線形 性を有すること から、本研究室ではこれを利用した量子光学デバイスの開発を進めている。本研究では、量子光 源や量子回路に より構成される量子情報処理システムの構築を目指し、まずGaNリブ導波路型 DCの開発を行った。