[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-2] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計

〇(M1)南部 誠明¹、上向井 正裕¹、藤 諒健¹、山田 智也¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、微小共振器、第二高調波発生

窒化物半導体結晶は高い光損傷耐性と光学非線形性を有するが、高効率な波長変換に必要な周期分極反転構造の形成が困難である。そこで本研究では、GaN共振器両側に高反射率ブラッグ反射鏡を設け共振器内で励起光強度を増強し、SH波を同位相で出力する、結晶方位の反転が不要で高安定なモノリシック微小二重共振器型SHGデバイスを提案する。本講演では数値計算による構造の最適化と、デバイス試作の結果について紹介する。