[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-20] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によって作製したInGaN/GaN極微細量子井戸ナノピラーのフォトルミネッセンス評価

〇生江 祐介¹、松岡 明裕¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、大江 優輝¹、川崎 祐生¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：温度特性、熱分解、量子ドット

我々は水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用し、低損傷極微細加工が可能な水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行い、エッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。本発表では、HEATE法で作製した上部平均直径15 nmの極微細InGaN/GaNナノピラーアレイにおけるフォトルミネッセンス（PL）ピークエネルギーの温度特性について報告する。