[7p-A301-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[7p-A301-3] Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO₃

〇(M1)Takuya Onodera¹, Masahiro Uemukai¹, Kazuya Takahashi², Motoaki Iwaya², Isamu Akasaki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake³, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.Fac. Sci. & Tech., Meijo Univ., 3.RIS, Mie Univ.)

Keywords:GaN, AlN, LiNbO3, Surface activated bonding

ウエハ接合技術により、結晶方位や格子定数の異なる材料同士の新規な積層構造の実現が可能である。本研究では窒化物半導体の波長変換デバイス応用を目指し、低温接合可能な表面活性化ウエハ接合技術を用いて、AlNおよびGaN同士を接合した極性反転積層構造を作製した。また窒化物半導体と強誘電体の積層導波路型量子光学デバイスへの応用を目指して、AlN薄膜とLiNbO₃ウエハの80℃での低温異種接合に成功した。