[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-3] AlN・GaN・LiNbO₃の表面活性化ウエハ接合技術の開発

〇(M1)小野寺 卓也¹、上向井 正裕¹、髙橋 一矢²、岩谷 素顕²、赤﨑 勇²、林 侑介³、三宅 秀人³、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大理工、3.三重大イノベ)

キーワード：GaN、AlN、LiNbO3、表面活性化接合

ウエハ接合技術により、結晶方位や格子定数の異なる材料同士の新規な積層構造の実現が可能である。本研究では窒化物半導体の波長変換デバイス応用を目指し、低温接合可能な表面活性化ウエハ接合技術を用いて、AlNおよびGaN同士を接合した極性反転積層構造を作製した。また窒化物半導体と強誘電体の積層導波路型量子光学デバイスへの応用を目指して、AlN薄膜とLiNbO₃ウエハの80℃での低温異種接合に成功した。