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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月7日(木) 13:15 〜 18:45 A301 (メインホール)

片山竜二(阪大)、船戸充(京大)、関口寛人(豊橋技科大)

14:15 〜 14:30

△ [7p-A301-5] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製

〇林侑介¹、三宅秀人^1,2、和政平松²、竜二片山³ (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工、3.阪大院工)

キーワード：III族窒化物半導体、窒化アルミニウム