[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-7] 規則配列GaNナノコラム上InGaN/AlGaN量子井戸の光学特性

〇大音 隆男¹、加納 達也¹、吉田 純¹、宮川 倫¹、江馬 一弘^1,2、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：ナノコラム、ナノワイヤ、InGaN

InGaNを活性層とした量子井戸（QW）構造において，障壁層をGaNからAlGaNに変えることによってGaN上に歪補償QWを作製でき，歪補償効果とナノ構造効果を組み合わせることで更なる発光効率の向上が期待できる．本研究では，選択成長GaNナノコラム上にInGaN/GaN QWとInGaN/AlGaN QWをそれぞれ作製して，光学特性の比較検討を行い，AlGaN障壁層の導入によってInGaN系ナノコラムの発光特性の改善に繋がる結果を得た．