ホールパタンニングAl<sub>0.03</sub>Ga<sub>0.97</sub>N基板上へのGaNナノワイヤの成長と評価

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月7日(木) 13:15 〜 18:45 A301 (メインホール)

片山竜二(阪大)、船戸充(京大)、関口寛人(豊橋技科大)

15:15 〜 15:30

〇(B)後藤七美¹、Myunghee Kim¹、澁谷弘樹¹、佐々井耕平¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大理工、2.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：ナノワイヤ、有機金属気相成長法