[7p-A412-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

△ [7p-A412-1] Preparation of cubic boron nitride arbitrary exponential single crystal substrate and observation of surface reaction

〇(DC)Takahiro Tamura¹, Takuya Takami¹, Takashi Yanase², Taro Nagahama², Toshihiro Shimada² (1.Hokkaido Univ., 2.Hokkaido Univ)

Keywords:cubic boron nitride, Microwave Plasma CVD, Plasma etching

N2プラズマエッチングによりcBN(100)面には平行なステップが現れるが、(111)面には三角形のエッチピットが現れた。高指数面について特異な構造が観察された。cBN粒子を基板としてCH4+H2ガスによりダイヤモンドのCVD合成を行うとcBN表面に多結晶ダイヤモンドが形成されたが、平坦化した高指数面にはほとんどダイヤモンドの成長が起こらず、強い面指数依存性があることがわかった。