2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[7p-A412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

2017年9月7日(木) 13:30 〜 16:45 A412 (412)

神田 一浩(兵庫県立大)、平栗 健二(電機大)

13:30 〜 13:45

[7p-A412-1] 立方晶窒化ホウ素の任意指数面単結晶基板の作製と表面反応の観察

〇(DC)田村 貴大1、髙見 拓哉1、柳瀬 隆2、長浜 太郎2、島田 敏宏2 (1.北大院総化、2.北大工)

キーワード:立方晶窒化ホウ素、マイクロ波プラズマCVD、プラズマエッチング

N2プラズマエッチングによりcBN(100)面には平行なステップが現れるが、(111)面には三角形のエッチピットが現れた。高指数面について特異な構造が観察された。cBN粒子を基板としてCH4+H2ガスによりダイヤモンドのCVD合成を行うとcBN表面に多結晶ダイヤモンドが形成されたが、平坦化した高指数面にはほとんどダイヤモンドの成長が起こらず、強い面指数依存性があることがわかった。