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[7p-A504-12] Estimation of Charge Injection Barrier at Organic Semiconductor/Metal Interface Using Accumulated Charge Measurement Technique
Keywords:Accumulated Charge Measurement, Charge Injection Barrier, Displacement Current Measurement
有機半導体においては、電極からの半導体への電荷注入障壁は、これまで多くの場合、UPS等の光電子分光測定により決定されてきた。これに対してわれわれは、蓄積電荷測定(Accumulated Charge Measurement = ACM)により決定できることを最近報告した。この実験手法では、トラップ等の影響も含んだ実デバイスに近い状況でのでの電荷注入障壁が求められる。測定を行ったフタロシアニン(H2Pc, ZnPc)、ペンタセン、P3HTでは、いずれも光電子分光等の実験で得られるHOMOエネルギーと矛盾しない結果が得られている。ただし、真空準位シフトの影響は、これまでの実験では観測されていない。本発表ではこの実験手法に関して説明し、この手法を用いて得た実験結果に関して、その概要を報告する。<!--EndFragment-->