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[7p-A504-12] 蓄積電荷測定法による有機半導体/金属界面の電荷注入障壁測定
キーワード:蓄積電荷測定法、電荷注入障壁、変位電流測定
有機半導体においては、電極からの半導体への電荷注入障壁は、これまで多くの場合、UPS等の光電子分光測定により決定されてきた。これに対してわれわれは、蓄積電荷測定(Accumulated Charge Measurement = ACM)により決定できることを最近報告した。この実験手法では、トラップ等の影響も含んだ実デバイスに近い状況でのでの電荷注入障壁が求められる。測定を行ったフタロシアニン(H2Pc, ZnPc)、ペンタセン、P3HTでは、いずれも光電子分光等の実験で得られるHOMOエネルギーと矛盾しない結果が得られている。ただし、真空準位シフトの影響は、これまでの実験では観測されていない。本発表ではこの実験手法に関して説明し、この手法を用いて得た実験結果に関して、その概要を報告する。<!--EndFragment-->