[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

[7p-C11-12] 希釈磁性半導体InMnSeの基礎特性

〇柏木 一成¹、パタネ アマリア²、遊佐 剛¹ (1.東北大理、2.ノッティンガム大理)

キーワード：層状物質、希釈磁性半導体

本講演では希釈磁性半導体InMnSeの基礎特性について発表する。InSeは層状物質の一種であり、非常に高いデバイス特性を持つことが知られている。さらに希釈磁性体Mnをドープすることで磁性としての性質をも持たせることができる。私たちはその試料の低温と室温での磁気抵抗の測定から、強磁性の起源の探索やスピントロにクス材料への応用を試みる。