[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

[7p-C11-15] 金属電極とのバリアハイトを考慮した極薄h-BNの絶縁性評価

〇服部 吉晃¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、長汐 晃輔^1,3 (1..東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

キーワード：h-BN、絶縁破壊

h-BNは二次元複層化デバイスに最適な層状絶縁基板であると認識されており、これまで我々はその絶縁性の研究を行ってきたが，5 nm以下の薄膜はこれまで意図的に報告を避けてきた．極薄膜の絶縁性評価では構成電極のフラットバンド電圧が計測結果に大きく影響を与えることが予想されるにもかかわらず殆ど議論されていない．本研究では，極薄膜のh-BNに対して電極の素材を変えて電気測定を行い，フラットバンド電圧の影響を調べた．