2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

2017年9月7日(木) 13:45 〜 19:30 C11 (事務室1)

種村 眞幸(名工大)、大野 恭秀(徳島大)

15:30 〜 15:45

[7p-C11-8] 局所的なキャリア注入を志向した分子性ドーパントの相分離構造

一宮 永1、三浦 光平1、瀧ノ上 正浩2、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1、桐谷 乃輔1,3 (1.阪府大院工、2.東工大情報理工、3.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード:二硫化モリブデン、分子ドーピング、相分離

キャリアの注入位置の制御は、半導体材料において接合界面の形成に関わる重要な課題である。二硫化モリブデン(MoS2) は、バンドギャップを有する層状物質であり、分子性ドーパントによるキャリア注入が報告されている。しかし、既報の例では局所的な配置を行うことは容易ではない。我々は、分子が示す自己パターン形成を利用することで、分子性ドーパントを局所的に配置し、接合界面を自発的に生成できると期待している。本研究ではMoS2に対するドナー分子であるBenzyl Viologen分子のパターン形成過程について検討を行ったので報告をする。