[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

[7p-C16-12] SiC熱分解によるグラフェン成長における不純物の影響

〇(PC)寺澤 知潮¹、乗松 航²、楠 美智子¹ (1.名大未来研、2.名大工)

キーワード：グラフェン、SiC、不純物

SiC(0001)面の加熱分解は大面積の単結晶グラフェンを得られる手法である．1700℃といった高温での加熱において系中の不純物の影響が考えられるが，その詳細は未解明である．そこで本研究では雰囲気中への水分の供給がグラフェン成長へ及ぼす影響の解明を目的とした．作製した試料表面をAFMおよびRaman分光法で確認したところ，雰囲気への水分の添加はより多層のグラフェンの形成を促進することがわかった．