[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

[7p-C16-15] SiC(0001)上グラフェンにおけるNiインターカレーション

〇大内 勇太郎¹、乗松 航¹、伊藤 孝寛^1,3、舟橋 良次²、楠 美智子^1,4 (1.名大院工、2.産総研、3.あいちシンクロトロン、4.名大未来研)

キーワード：グラフェン、シリコンカーバイド、インターカレーション

SiC上グラフェンは、高いキャリア移動度を持ち電子デバイス材料への応用が期待されており、そのために他元素をSiC/Buffer層間に挿入しキャリア移動度の向上を目指す研究がなされている。本研究では強磁性金属であるNiを挿入元素として選択し、グラフェン/Ni構造を持つ磁性二次元膜の作製を試みた。断面TEM観察及び、ラマン分光分析の結果からNiインターカレートグラフェンの形成を確認した。