[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7p-C17-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Effects of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ buffer layers on Ga₂O₃ crystal structures

〇Riena Jinno¹, Takayuki Uchida¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:gallium oxide, ultra-wide-bandgap material, crystal growth

Ga₂O₃は約5 eVのバンドギャップを有するUWBG半導体材料の1つであり, パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として近年注目を集めている。本研究では, Ga₂O₃の異なる6つの結晶構造のうち準安定相のε相およびα相を有するGa₂O₃のサファイア基板上への結晶成長の制御を行った.