[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-1] [講演奨励賞受賞記念講演] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ バッファ層がGa₂O₃の結晶構造に及ぼす影響

〇神野 莉衣奈¹、内田 貴之¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体、結晶成長

Ga₂O₃は約5 eVのバンドギャップを有するUWBG半導体材料の1つであり, パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として近年注目を集めている。本研究では, Ga₂O₃の異なる6つの結晶構造のうち準安定相のε相およびα相を有するGa₂O₃のサファイア基板上への結晶成長の制御を行った.