2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 13:45 〜 18:00 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)、阿部 友紀(鳥取大)

17:45 〜 18:00

[7p-C17-16] HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響

須賀 隆之1、中畑 秀利1、小西 敬太1、富樫 理恵1,2、村上 尚1,2、Plamen Pascov3、Bo Monemar2,3、熊谷 義直1,2 (1.東京農工大院工、2.東京農工大GIR、3.リンチョーピン大)

キーワード:酸化インジウム、ハライド気相成長法

In2O3系のワイドバンドギャップ混晶(InxGa1-x)2O3は、新たな電子デバイス材料や光学デバイス材料として注目を集めている。既往の研究として我々は熱力学解析に基づき、ハライド気相成長(HVPE)法を用いてビクスバイト型構造酸化インジウム(c-In2O3)の高温(1000ºC)・高速成長を実現し、また成長温度が成長に与える影響についても調査した。本研究ではc面サファイア基板上へのc-In2O3のHVPE成長において、成長速度の違いが結晶構造に与える影響について調査したので報告する。