[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [7p-C17-16] Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of In₂O₃

〇Takayuki Suga¹, Hidetoshi Nakahata¹, Keita Konishi¹, Rie Togashi^1,2, Hisashi Murakami^1,2, Plamen Pascov³, Bo Monemar^2,3, Yoshinao Kumagai^1,2 (1.TUAT, 2.TUAT GIR, 3.Linkoping Univ.)

Keywords:In2O3, Halide vapor phase epitaxy

In₂O₃系のワイドバンドギャップ混晶(In_xGa_1-x)₂O₃は、新たな電子デバイス材料や光学デバイス材料として注目を集めている。既往の研究として我々は熱力学解析に基づき、ハライド気相成長(HVPE)法を用いてビクスバイト型構造酸化インジウム(c-In₂O₃)の高温(1000ºC)・高速成長を実現し、また成長温度が成長に与える影響についても調査した。本研究ではc面サファイア基板上へのc-In₂O₃のHVPE成長において、成長速度の違いが結晶構造に与える影響について調査したので報告する。