The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 7, 2017 1:45 PM - 6:00 PM C17 (Training Room 2)

Takayoshi Oshima(Saga Univ.), Tomoki Abe(Tottori Univ.)

2:15 PM - 2:30 PM

[7p-C17-3] Investigation of α-Ga2O3 Growth on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy

Michitaka Shimokawa1, Yohei Sawada1, Keita Konishi1, Hisashi Murakami1,2, Bo Monemar3, Yoshinao Kumagai1,2 (1.TUAT, 2.TUAT GIR, 3.Linkoping Univ.)

Keywords:alpha gallium oxide, halide vapor phase epitaxy

酸化ガリウムとこれに関連したIII族セスキ酸化物半導体結晶群は、パワーデバイスや深紫外受光素子等の新規材料として非常に魅力的な結晶であり、近年注目を集めている。III族セスキ酸化物でバンドギャップ変調を行うためには、混晶化が必須である。そこで我々は、準安定相混晶α-(AlxGayIn1-x-y)2O3の成長方法の確立を目指し、その要素となるHVPE法によるα-Ga2O3成長を成長温度に着目して試みたので、報告する。