2:15 PM - 2:30 PM
△ [7p-C17-3] Investigation of α-Ga2O3 Growth on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Keywords:alpha gallium oxide, halide vapor phase epitaxy
酸化ガリウムとこれに関連したIII族セスキ酸化物半導体結晶群は、パワーデバイスや深紫外受光素子等の新規材料として非常に魅力的な結晶であり、近年注目を集めている。III族セスキ酸化物でバンドギャップ変調を行うためには、混晶化が必須である。そこで我々は、準安定相混晶α-(AlxGayIn1-x-y)2O3の成長方法の確立を目指し、その要素となるHVPE法によるα-Ga2O3成長を成長温度に着目して試みたので、報告する。