[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [7p-C17-6] Effect of buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga₂O₃ thin films by room temperature laser annealing

〇Kisho Nakamura¹, Hiroyuki Morita¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:beta-Ga2O3, Epitaxial thin films, Laser annealing

我々はこれまでに、酸化ニッケル(NiO)バッファ層の導入、エキシマレーザーアニーリング(ELA)などの手法により、表面平坦なβ型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)の室温エピタキシープロセスを見出してきた。一方、ELAを用いたバッファ層上におけるβ-Ga₂O₃の固相エピタキシー過程を明らかにすることは配向性制御やデバイス構造の形成において重要である。本研究ではバッファ層の組成や結晶構造がβ-Ga₂O₃の室温ELA結晶化プロセスに及ぼす影響を検討した。