[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7p-C17-7] Crystal Orientation of β-Ga₂O₃ Thin Films Formed on (111) MgO Substrates

〇Shinji Nakagomi¹, Takashi Yasuda¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:Ga2O3, crystal orientation

前回、立方晶であるMgO基板の(111), (110)の各面上に形成した酸化ガリウムβ-Ga₂O₃の結晶配向について, Miらの報告とは異なる結果を得たことを報告した。本研究では, (111) MgO基板上のβ-Ga₂O₃薄膜の配向性に焦点を絞り，より詳しく調べた結果について報告する。界面にγ-Ga₂O₃層が形成され、β-Ga₂O₃は3回転のドメイン構造を示す。(111) MgO基板上にβ-Ga₂O₃は(-201)配向し、(100) β-Ga₂O₃ // (001) MgOとなることで、3回転ドメインとなる。