[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-7] (111) MgO基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性

〇中込 真二¹、安田 隆¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、結晶配向

前回、立方晶であるMgO基板の(111), (110)の各面上に形成した酸化ガリウムβ-Ga₂O₃の結晶配向について, Miらの報告とは異なる結果を得たことを報告した。本研究では, (111) MgO基板上のβ-Ga₂O₃薄膜の配向性に焦点を絞り，より詳しく調べた結果について報告する。界面にγ-Ga₂O₃層が形成され、β-Ga₂O₃は3回転のドメイン構造を示す。(111) MgO基板上にβ-Ga₂O₃は(-201)配向し、(100) β-Ga₂O₃ // (001) MgOとなることで、3回転ドメインとなる。