2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » マルチスケールプロセスへの挑戦~ドライかウェットかそれとも…~

[7p-C19-1~10] マルチスケールプロセスへの挑戦~ドライかウェットかそれとも…~

2017年9月7日(木) 13:45 〜 17:25 C19 (C19)

上野 和良(芝浦工大)、真田 俊之(静岡大)

15:20 〜 15:35

[7p-C19-5] 微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察

奥山 敦1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1、西 健治2、鈴木 歩太3、戸島 孝之2 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.東京エレクトロン九州、3.東京エレクトロン)

キーワード:ウェットエッチング、微小空間、電気二重層

半導体デバイスの微細化に伴い、ナノスケールの微小空間におけるプロセス現象を理解することが必要不可欠になっている。ウェットエッチングプロセスにおいても、要求される加工制御性はナノメートルオーダーに達しており、この厳しい要求を満たす為には、微小空間の固液界面近傍で起きるウェットエッチング反応の現象を理解してプロセス条件を設計することが極めて重要である。これまでに、微小空間における液体分子の挙動を解析したシミュレーション結果は報告されているが、微小空間におけるウェットエッチング現象に関する詳細な実験結果の報告は無い。本発表では、ナノスケールの微小空間におけるウェットエッチング挙動についての詳細な実験結果とメカニズム考察、及びメカニズムの妥当性を検証する為のシミュレーション結果について報告する。