[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

[7p-C23-1] スパッタリング法によりSrTiO₃(111)基板上に成長させたPt薄膜の検討

〇葛西 昌弘¹、土肥 英幸¹ (1.九州大水素)

キーワード：触媒、Pt　白金、エピタキシャル成長

著者らはこれまでに、燃料電池や水素製造に重要なPtを、触媒活性が無く電気的にも絶縁体であるSrTiO₃ 上にエピタキシャル成長させる検討を続けてきた。STO（100）基板を用いた場合、基板温度が700 ℃以下では十分な面内配向性が得られず、表面性状もアイランド状になることが分かった。本研究では、安定面である(111)面の成長を試みた結果について報告する。