[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

[7p-C23-14] ステンレス系基板表面の摩擦を活用するカルコゲナイド系層状半導体MoS₂薄膜形成

〇伊藤 孝郁¹、田邉 匡生¹、小山 裕¹ (1.東北大院工)

キーワード：半導体、MoS2、トライボロジー

半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する結晶としては層状構造を有するため分子１層で成膜できる可能性がある二硫化モリブデン（MoS₂）に着目している。MoS₂は電界効果型トランジスタのチャネルに応用でき、シリコンより高速かつ低消費電力での動作が期待されている。本研究では半導体デバイスサイズのMoS₂薄膜形成を目指し、薄膜生成に適する基板表面について知見を得ることを目的とした。