[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

[7p-C23-22] パルスレーザー堆積法によるCu₃PdN薄膜の作製

〇金澤 航己¹、宮本 稜¹、浦田 隆広¹、畑野 敬史¹、飯田 和昌¹、生田 博志¹ (1.名大工)

キーワード：Cu3PdN、PLD

近年、凝縮物質のバンドトポロジーが注目を集めている。Cu₃PdNはディラック半金属であることが理論的に予測されている。さらに、C₄結晶対称性を破るとトポロジカル絶縁体となることが予測されている。しかし、Cu₃PdNナノ粒子の作製は報告されているが、詳細な電子物性の測定は報告されていない。そこで、我々はパルスレーザー堆積(PLD)法を用いて、Cu₃PdN薄膜の作製に取り組み、その物性を測定した。