[7p-PA10-1~5] Joint Session M "Phonon Engineering"（Poster）

[7p-PA10-3] Molecular Dynamics Study of Thermal Conductivity in SiGe, GeSn, and SiSn crystals

〇(M2)Masataka Ogasawara¹, Takuya Terada¹, Motohiro Tomita^1,2, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.JSPS Res. Fellow)

Keywords:IV-IV group mixed crystal, Molecular Dynamics simulation, Thermal Conductivity

IV-IV族混晶半導体はSiの代わりに高いキャリア移動度を有し、様々な応用が可能な次世代材料である。また、混晶にすることで、合金散乱により著しく熱伝導率が低下し、熱電材料としての性能が飛躍的に向上することが期待される。したがって、熱電発電の高効率化を目指すために、これらの混晶に関する熱伝導率の調査は必要不可欠なものである。本研究では分子動力学法(MD)法を用いて、SiGe, GeSn, SiSnの3種類の混晶の熱伝導率を評価した。この際、LAMMPSの平衡MD法を用いた。