[7p-PA10-1~5] 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」（ポスター）

[7p-PA10-3] 分子動力学法を用いたIV-IV族結晶(SiGe, GeSn, SiSn)の熱伝導率評価

〇(M2)小笠原 成崇¹、寺田 拓也¹、富田 基裕^1,2、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員 PD)

キーワード：IV-IV族混晶、分子動力学計算、熱伝導率

IV-IV族混晶半導体はSiの代わりに高いキャリア移動度を有し、様々な応用が可能な次世代材料である。また、混晶にすることで、合金散乱により著しく熱伝導率が低下し、熱電材料としての性能が飛躍的に向上することが期待される。したがって、熱電発電の高効率化を目指すために、これらの混晶に関する熱伝導率の調査は必要不可欠なものである。本研究では分子動力学法(MD)法を用いて、SiGe, GeSn, SiSnの3種類の混晶の熱伝導率を評価した。この際、LAMMPSの平衡MD法を用いた。