[7p-PA10-1~5] 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」（ポスター）

[7p-PA10-5] SOI層のゼーベック係数における共ドープ効果の考察

〇(M1)成田 侑樹¹、鈴木 悠平¹、ファイズ サレ²、池田 浩也¹ (1.静大電研、2.マラヤ大)

キーワード：半導体、シリコン

熱電変換の性能指数は、電気伝導率とゼーベック係数の2乗に比例し熱伝導率に反比例する．半導体材料では3つの値はキャリア濃度に依存しており、独立に制御することは難しい。共ドープSiではキャリア濃度の制御をしつつ、電気的特性はそのままに、熱伝導度の低減が期待される。本発表では、ドナーとアクセプタが混在する共ドープSiのゼーベック係数測定、電流-電圧測定の結果から電子散乱に注目し共ドープ効果を考察する。