[7p-PA8-1~80] 2 Ionizing Radiation（Poster）

[7p-PA8-60] Non-doped Mg₂SiO₄ Showing RPL Properties

〇GO OKADA¹, TAKAHIRO KOJIMA², JISABURO USHIZAWA², NAOKI KAWANO¹, NORIAKI KAWAGUCHI¹, TAKAYUKI YANAGIDA¹ (1.NAIST, 2.Oxide)

Keywords:RPL, Mg2SiO4

本研究では、Mg₂SiO₄単結晶においてRPLが発現する事を発見し、その特性について報告する。Mg₂SiO₄単結晶サンプルはオキサイド株式会社によってチョクラルスキー法を用いて作製された。X線を照射しない場合はPLによる発光は認められなかったが、X線を照射したものにおいては630 nmを中心とするPL発光がみられた。また、その強度は照射線量に応じて増加する事がわかった。この事から、Mg₂SiO₄単結晶中にX線を照射する事により新たな発光中心が生成されたと考えられ、言い換えればRPLが発現したと言える。