[7p-PB1-1~8] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[7p-PB1-6] Electron Beam Irradiation Effects on SiO₂ Layer on Silicon Substrate at Room Temperature

〇Yuusuke Masuda¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide, electron beam irradiation, scanning electron microscopy

酸化膜に高電流密度電子線を照射すると、還元反応が生じ、その結果酸化膜脱離反応が生ずる。これによりデプスプロファイル測定に悪影響を及ぼす一方、新しいリソグラフィの可能性やナノクラスターの形成が示されている。しかし、酸化膜脱離効果やクラスタ形成の反応機構は、まだ不明な点が多い。本研究では、電子線照射効果について、深さ方向に関し、上述の反応機構解明の上で有用な知見を得たので、その結果を報告する。