[7p-PB4-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[7p-PB4-3] Ballistic Transport Characteristics Considering Tunneling Current in Silicane and Germanane MOSFET

〇(M2)Naosuke Oka¹, Matsuto Ogawa¹, Satofumi Souma¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:Silicane, Germanane

シリケイン及びゲルマナンは二次元半導体であり、Si及びGeで構成されるため、現在のシリコンテクノロジーとの親和性の良さから注目されている。これらの物質は、単分子層上下のダングリングボンドを水素終端することで結合が維持され、バンドギャップが発生する特徴があり、半導体素子への応用が期待される。これらをチャネル材料としたMOSFETに関して、電極間のリーク電流を考慮したバリスティック輸送特性を報告する。