[7p-PB7-1~56] 10 Spintronics and Magnetics（Poster）

[7p-PB7-48] Fabrication of MTJ element of 20nm diameter by sliming method

〇Akio Fukushima¹, Atsushi Sugihara¹, Kay Yakushiji¹, Hitoshi Kubota¹, Shinji Yuasa¹ (1.SRC, AIST)

Keywords:magnetic tunnel junction

より小さなMTJ素子を作成するため、EBレジストマスクを、ArとO₂の混合ガスによる逆スパッタでスリミングすることを試みた。RA2.2のMTJ膜に、直径55nmのマスクを作成し、5分間スリミングし、素子を作成した。MRは105%、Hc=2.1kOeのマイナーループ、低抵抗での抵抗値は8650Ω、見積もった直径は18nmという磁気特性の良好な素子が作成できた。