[7p-PB7-1~56] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[7p-PB7-48] スリミング法による20nm径MTJ素子の作成

〇福島 章雄¹、杉原 敦¹、薬師寺 啓¹、久保田 均¹、湯浅 新治¹ (1.産総研・スピン)

キーワード：磁気抵抗素子

より小さなMTJ素子を作成するため、EBレジストマスクを、ArとO₂の混合ガスによる逆スパッタでスリミングすることを試みた。RA2.2のMTJ膜に、直径55nmのマスクを作成し、5分間スリミングし、素子を作成した。MRは105%、Hc=2.1kOeのマイナーループ、低抵抗での抵抗値は8650Ω、見積もった直径は18nmという磁気特性の良好な素子が作成できた。