[7p-S21-1~22] 13.10 Compound solar cells

△ [7p-S21-17] Semipolar (10-1-1) GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells

〇(M1)Noboru Muramatsu¹, Shun Mitsufuji¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac. Sci.&Eng., Meijo Univ., Japan, 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., Japan)

Keywords:solar cells, semipolar

(10-1-1)自立GaN基板にGaInN100nmのp-i-n太陽電池を作製およびその評価を行った。デバイス構造はn-GaN層1.0μmを成長させた後、下地層としてn-GaInN/GaN:3nm/3nm下地超格子層を10周期成長させ、GaInN光吸収層100nm、p-GaN層100nm、pコンタクト層10nmを成長させた。下地層を用いることで表面平坦性が向上し、光吸収層のPLでの励起波長も長波化した。In組成も。I-V特性はリーク特性が改善し0.8Vで立ち上がり、太陽電池特性を示した。吸収端は510nmであり、最大外部量子効率は30%であった。