[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

△ [7p-S21-17] 半極性面(10-1-1)GaInN/GaN p-i-n 太陽電池

〇(M1)村松 昇¹、光藤 駿¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名大赤﨑研)

キーワード：太陽電池、半極性

(10-1-1)自立GaN基板にGaInN100nmのp-i-n太陽電池を作製およびその評価を行った。デバイス構造はn-GaN層1.0μmを成長させた後、下地層としてn-GaInN/GaN:3nm/3nm下地超格子層を10周期成長させ、GaInN光吸収層100nm、p-GaN層100nm、pコンタクト層10nmを成長させた。下地層を用いることで表面平坦性が向上し、光吸収層のPLでの励起波長も長波化した。In組成も。I-V特性はリーク特性が改善し0.8Vで立ち上がり、太陽電池特性を示した。吸収端は510nmであり、最大外部量子効率は30%であった。