[7p-S21-1~22] 13.10 Compound solar cells

[7p-S21-18] Characterization of InGaP/GaAs/ITO/Si Hybrid Triple-Junction Cells with ITO
intermediate layers

〇Tomoya Hara¹, Tomoki Ogawa¹, Liang Jianbo¹, Kenji Araki², Takefumi Kamioka², Masafumi Yamaguchi², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyota Technol Inst.)

Keywords:Tandem Solar Cell, surface activated bonding, ITO intermediate layer

ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si 3接合太陽電池を作製し、その特性評価を行った。ITO中間層のないInGaP/GaAs/Si 3接合セルのI-V特性との比較から、ITO中間層により0 mAにおける微分抵抗が低減されることがわかった。