[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

[7p-S21-18] ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si 3 接合太陽電池の特性評価

〇原 智也¹、小川 智輝¹、梁 剣波¹、荒木 健次²、神岡 武文²、山口 真史²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大)

キーワード：多接合太陽電池、表面活性化接合、ITO中間層

ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si 3接合太陽電池を作製し、その特性評価を行った。ITO中間層のないInGaP/GaAs/Si 3接合セルのI-V特性との比較から、ITO中間層により0 mAにおける微分抵抗が低減されることがわかった。