[7p-S21-1~22] 13.10 Compound solar cells

△ [7p-S21-19] Fabrication of GaInN/GaInP/GaAs/Ge 4-junction solar cell using wafer bonding technology

〇Kazuya Takahashi¹, Ryoji Shinoda¹, Syun Mitsufuji¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Tomokazu Hattori¹, Isamu Akasaki^1,2, Hiroshi Amano^2,3 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Res. C., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, solar cell, wafer bonding

GaInNはGaInP/GaAs/Ge3接合太陽電池との4接合太陽電池の組み合わせのトップセルとして有用である。本研究では接合層となるGaNとGaAsのウェハ接合を行い太陽電池の動作検討を行った。温度450 ^OC、加圧5.0MPaで接合させると約4.5MPaの接合強度を得ることができた。V_OC、J_SH、FFはそれぞれ2.85V、0.219mA/cm²、0.74であり4接合太陽電池の動作を確認した。