[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

△ [7p-S21-19] ウェハ接合技術を用いたGaInN/GaInP/GaAs/Ge 4接合太陽電池の作製

〇高橋 一矢¹、篠田 涼二¹、光藤 駿¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、服部 友一¹、赤﨑 勇^1,2、天野 浩^2,3 (1.名城大理工、2.名大赤﨑研、3.名大)

キーワード：半導体、太陽電池、ウェハ接合

GaInNはGaInP/GaAs/Ge3接合太陽電池との4接合太陽電池の組み合わせのトップセルとして有用である。本研究では接合層となるGaNとGaAsのウェハ接合を行い太陽電池の動作検討を行った。温度450 ^OC、加圧5.0MPaで接合させると約4.5MPaの接合強度を得ることができた。V_OC、J_SH、FFはそれぞれ2.85V、0.219mA/cm²、0.74であり4接合太陽電池の動作を確認した。