[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

[7p-S21-21] エピタキシャルリフトオフ工程により生じたGaAs基板上堆積物の結晶化条件の評価

〇(M2)中田 達也¹、渡辺 健太郎²、ソダーバンル ハサネット²、宮下 直也²、岡田 至崇^1,2、中野 義昭^1,2、杉山 正和^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：III-V族化合物半導体、薄膜太陽電池、エピタキシャルリフトオフ