[7p-S21-1~22] 13.10 Compound solar cells

[7p-S21-22] Analysis of the separation plane after III-V-N / Si epitaxial lift-off toward substrate reuse

〇(M1)Junya Fujimoto¹, Akihiro Wakahara¹, Keisuke Yamane¹, Hiroshi Okada^1,2, Hiroto Sekiguchi¹, Masaya Goto¹ (1.Toyohashi Tech., 2.Toyohashi Tech. EIIRIS.)

Keywords:III-V semiconductor, III-V/Si solar cell, Epitaxial lift off

AlAs/GaAs系ELOプロセスでは，基板再利用時の障害となるAs酸化物が形成されることが報告されている。しかし，AlP系犠牲層を用いたELOプロセスはほとんど知見が得られていない。そこで，本研究では、AlP系犠牲層を用いたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の表面状態の解析を行った。結果として、提案するGaAsPN/GaP/AlPN/GaP/Si構造のELOでは、分離面のGaP表面には酸化膜は形成されず、基板再利用に適した清浄表面が保たれることが明らかになった。