[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

[7p-S21-22] 基板再利用に向けたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の解析

〇(M1)藤本 純弥¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹、岡田 浩^1,2、関口 寛人¹、後藤 聖也¹ (1.豊橋技科大院、2.豊橋技科大 EIIRIS)

キーワード：III-V族化合物半導体、III-V/Si太陽電池、エピタキシャルリフトオフ

AlAs/GaAs系ELOプロセスでは，基板再利用時の障害となるAs酸化物が形成されることが報告されている。しかし，AlP系犠牲層を用いたELOプロセスはほとんど知見が得られていない。そこで，本研究では、AlP系犠牲層を用いたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の表面状態の解析を行った。結果として、提案するGaAsPN/GaP/AlPN/GaP/Si構造のELOでは、分離面のGaP表面には酸化膜は形成されず、基板再利用に適した清浄表面が保たれることが明らかになった。